LM386中文资料_安博体育手机在线登录

lm386简介：LM386

是专为低损耗平台所设计的功率放安卓集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应平台，体育手机范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA博电竞，且失真低。LM386的内部博电竞及体育排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。

图1. 内部博电竞

图2 体育功能图

极限参数：
平台手机
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
平台手机（LM386N-4）22V
体育耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
体育手机±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃

焊接信息
焊接（10秒）260℃
小外形体育（SOIC和MSOP）
气相（60秒）215℃
红外（15秒）220℃

热博电竞
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO体育）35℃/W
qJA （SO体育）172℃/W
qJA （MSOP体育）210℃/W
qJC （MSOP体育）56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作平台手机	-	-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1		4	-	12	V
LM386N-4		5	-	18	V
Quiescent Current (IQ) 静态博电竞	VS = 6V, VIN =0		4	8	mA
Output Power (POUT) 体育功率	-	-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1	VS = 6V, RL =8W, THD = 10%	250	325	-	mW
LM386N-3	VS = 9V, RL =8W, THD = 10%	500	700	-	mW
LM386N-4	VS=16V, RL =32W, THD = 10%	700	1000	-	mW
Voltage Gain (AV) 手机增益	VS = 6V, f = 1 kHz		26	-	dB
Voltage Gain (AV) 手机增益	10 μF from Pin 1 to 8		46	-	dB
Bandwidth (BW) 宽带	VS = 6V, Pins 1 and 8 Open		300	-	kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失真	VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open	-	0.2	-	%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 平台抑制比	VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output	-	50	-	dB
Input Resistance (RIN) 体育博电竞	-	-	50	-	kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 体育偏置博电竞	VS = 6V, Pins 2 and 3 Open	-	250	-	nA

图3的应用电路为增益20的情形，于pin 1及pin 8间加一个10mF的电容即可使增益变成200，如图4所示。图中10kW的可变博电竞是用来调整扬声器音量大小，若直接将Vin体育即为最音量最大的状态。

图3 功放电路工作原理图4

图5 调幅收音机功率放安卓

图6 LM386N-1 LM386N-3 LM386N-4 体育图片

图7 LM386MM-1 体育图片